VBsemi Elec ITU02N60A-VB
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ITU02N60A-VB
2638-ITU02N60A-VB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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650V 2A 5Ω@10V,2A 1 N-Channel TO-251 MOSFETs ROHS
1最小包装量--
ITU02N60A-VB详情
VBsemi Elec ITU02N60A-VB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
650V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
5Ω@10V,2A
Package
Tube-packed
类型
1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)
2A
ITU02N60A-VB拓展信息
VBsemi Elec
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