VBsemi Elec MI3470-VB
- 收藏
- 对比
MI3470-VB
2638-MI3470-VB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

30V 6.5A 1.7W 30mΩ@10V,3.2A 1.1V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
1最小包装量--
MI3470-VB详情
VBsemi Elec MI3470-VB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
30V
Power Dissipation (Pd)
1.7W
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
30mΩ@10V,3.2A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
1.1V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
17pF@15V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
335pF@15V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
Package
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
类型
1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)
6.5A
MI3470-VB拓展信息
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec
VBsemi Elec







哦! 它是空的。