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VBsemi Elec IPB120N04S4-02-VB
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IPB120N04S4-02-VB
2638-IPB120N04S4-02-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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大陆
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40V 150A 200W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS
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IPB120N04S4-02-VB详情
VBsemi Elec IPB120N04S4-02-VB重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
40V
Power Dissipation (Pd)
200W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
2.5V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
450pF@20V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
9000pF@20V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
120nC@10V
Package
Tube-packed
操作温度
-55℃~+150℃
类型
1 N-channel
Continuous Drain Current (Id)
150A
IPB120N04S4-02-VB拓展信息
VBsemi Elec
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