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SI3469DV-T1-GE3-VB

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VBsemi Elec SI3469DV-T1-GE3-VB

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对比

型号

SI3469DV-T1-GE3-VB

品牌

utmel 编号

2638-SI3469DV-T1-GE3-VB

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

30V 4.8A 49mΩ@10V 1 Piece P-Channel TSOP-6 MOSFETs ROHS

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SI3469DV-T1-GE3-VB

SI3469DV-T1-GE3-VB VBsemi Elec 30V 4.8A 49mΩ@10V 1 Piece P-Channel TSOP-6 MOSFETs ROHS

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SI3469DV-T1-GE3-VB详情

技术参数

VBsemi Elec SI3469DV-T1-GE3-VB重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
RoHS

true
Drain Source Voltage (Vdss)

30V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

49mΩ@10V
Package

Tape & Reel (TR)
类型

1 Piece P-Channel
Continuous Drain Current (Id)

4.8A

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SI3469DV-T1-GE3-VB拓展信息

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