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SIR418DP-T1-GE3-VB

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VBsemi Elec SIR418DP-T1-GE3-VB

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对比

型号

SIR418DP-T1-GE3-VB

品牌

utmel 编号

2638-SIR418DP-T1-GE3-VB

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

40V 4.7mΩ@10V 1.9V 1 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS

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SIR418DP-T1-GE3-VB

SIR418DP-T1-GE3-VB VBsemi Elec 40V 4.7mΩ@10V 1.9V 1 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS

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技术参数

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VBsemi Elec SIR418DP-T1-GE3-VB重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
RoHS

true
Drain Source Voltage (Vdss)

40V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

4.7mΩ@10V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

1.9V
Package

Tape & Reel (TR)
类型

1 N-Channel

0个相似型号

SIR418DP-T1-GE3-VB拓展信息

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