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ST12N10D-VB

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VBsemi Elec ST12N10D-VB

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对比

型号

ST12N10D-VB

品牌

utmel 编号

2638-ST12N10D-VB

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

100V 15A 96W 114mΩ@10V,3A 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS

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ST12N10D-VB

ST12N10D-VB VBsemi Elec 100V 15A 96W 114mΩ@10V,3A 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS

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技术参数

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VBsemi Elec ST12N10D-VB重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
RoHS

true
Drain Source Voltage (Vdss)

100V
Power Dissipation (Pd)

96W
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

114mΩ@10V,3A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

2.5V@250uA
Package

Tape & Reel (TR)
类型

1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)

15A

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