Vishay 05N50

工厂交货时间

1 Week

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NDD05N50ZT4G

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369AA-01, DPAK-3

Manufacturer Package Code

369AA

Risk Rank

6.15

Samacsys Description

ON Semiconductor NDD05N50ZT4G N-channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 500 V, 3-Pin D-PAK

Drain Current-Max (ID)

4.7 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

83 W