Vishay 1N3766

底架

Chassis, Stud

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Package Type

DO-203AB (DO-5)

Manufacturer Part Number

VS-1N3766

Manufacturer

Vishay

RoHS

Compliant

Package Description

O-MUPM-D1

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

190 °C

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

GENESIC SEMICONDUCTOR INC

Forward Voltage-Max (VF)

1.2 V

Risk Rank

4.89

包装

Bulk

无铅代码

有

最高工作温度

190 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

GENERAL PURPOSE

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MUPM-D1

极性

Cathode Stud (Forward)

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

接收电极

箱体转运

CATHODE

正向电流

35 A

最大浪涌电流

400 A

输出电流-最大值

35 A

最大反向电压（DC）

800 V

平均整流电流

35 A

相位的数量

1

峰值反向电流

4 mA

最大重复反向电压(Vrrm)

800 V

Rep Pk反向电压-最大值

800 V

JEDEC-95代码

DO-5

峰值非恢复性浪涌电流

400 A

最大非代表Pk前进电流

475 A

反向电压

800 V

反向电流-最大值

10 µA

螺柱尺寸

1/4-28 UNF-2A

无铅

无铅