Vishay 50MT060WHTAPBF

工厂交货时间

20 Weeks, 1 Day

底架

Screw, Through Hole

表面安装

NO

引脚数

12

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

ECCN (US)

EAR99

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

600

Maximum Gate Emitter Voltage (V)

±20

Maximum Power Dissipation (mW)

658000

Maximum Continuous Collector Current (A)

114

Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)

0.25

Minimum Operating Temperature (°C)

-40

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Supplier Package

MTP

Military

无

Mounting

Screw

Package Height

16

Package Length

63.5

Package Width

33

PCB changed

10

Manufacturer Part Number

VS-50MT060WHTAPBF

Approvals

UL

Manufacturer

Vishay

RoHS

有

Package Description

ROHS COMPLIANT, MTP, 12 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.54

无铅代码

有

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

类型

Dual

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

UL 认证

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

10

JESD-30代码

R-XUFM-X7

资历状况

不合格

最大输出电流

114 A

配置

Dual

最大电源电压

600 V

元素配置

Dual

功率耗散

658 W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

114 A

信道型

N

最大耗散功率(Abs)

658 W

集电极电流-最大值(IC)

114 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

宽度

33 mm

高度

16 mm

长度

63.5 mm

高度(毫米)

20.5 mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅