Vishay BUV28-200

安装类型

表面贴装

包装/外壳

64-LBGA

表面安装

NO

供应商器件包装

64-FBGA (13x11)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tray

Base Product Number

S29GL256

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Non-Volatile

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Manufacturer Part Number

BUV28-200

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

GENERAL SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.84

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

GL-P

ECCN 代码

EAR99

应用

EFFICIENCY

HTS代码

8541.10.00.80

技术

FLASH - NOR

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

内存大小

256Mbit

二极管类型

接收电极

箱体转运

ISOLATED

访问时间

90 ns

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

输出电流-最大值

3.5 A

写入周期时间 - 字符、页面

90ns

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

200 V

最大非代表Pk前进电流

90 A

反向恢复时间-最大值

0.03 µs

组织的记忆

32M x 8