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技术文档
型号
CDR31BP1R2BCWSMB
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-CDR31BP1R2BCWSMB
商品类别
无类别的
封装
TO-3PN-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
CDR31BP1R2BCWSMB datasheet pdf and Unclassified product details from Vishay stock available at utmel
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CDR31BP1R2BCWSMB详情
技术参数
Vishay CDR31BP1R2BCWSMB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation
312 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.65 V
Unit Weight
0.225789 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
450
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Mounting Styles
通孔
Part # Aliases
FGA25N120ANTDTU_F109
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current Ic Max
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
系列
FGA25N120ANTDTU
包装
Tube
子类别
IGBTs
技术
Si
配置
Single
产品类别
IGBT晶体管
宽度
5 mm
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
CDR31BP1R2BCWSMB拓展信息
公司资质
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