CPV364M4UPBF详情
Vishay CPV364M4UPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
11 Weeks
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
2
终端数量
13
晶体管元件材料
SILICON
ECCN (US)
EAR99
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
600
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
±20
Maximum Power Dissipation (mW)
63000
Maximum Continuous Collector Current (A)
20
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
0.1
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Automotive
无
Standard Package Name
IMS-2
Supplier Package
IMS-2
Military
无
Mounting
通孔
Package Height
21.97
Package Length
62.43
Package Width
7.87
PCB changed
13
Manufacturer Part Number
VS-CPV364M4UPBF
Manufacturer
Vishay
RoHS
有
Package Description
ROHS COMPLIANT, IMS-2, 13 PIN
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
54 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
380 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
6
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.03
无铅代码
有
零件状态
Unconfirmed
ECCN 代码
EAR99
类型
Six-Pack
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
超快软
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
13
JESD-30代码
R-PSIP-T13
资历状况
不合格
配置
Hex
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600 V
最大集电极电流
20 A
信道型
N
最大耗散功率(Abs)
63 W
集电极电流-最大值(IC)
20 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.1 V
宽度
7.87 mm
高度
21.97 mm
长度
62.43 mm
高度(毫米)
21.97 mm
RoHS状态
符合RoHS标准
CPV364M4UPBF拓展信息
Vishay
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division









哦! 它是空的。