EGF1B-1HE3_A/I
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Vishay EGF1B-1HE3_A/I

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型号

EGF1B-1HE3_A/I

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-EGF1B-1HE3_A/I

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

Radial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

起订量

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EGF1B-1HE3_A/I
EGF1B-1HE3_A/I Vishay DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

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EGF1B-1HE3_A/I详情

Vishay EGF1B-1HE3_A/I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    Radial

  • 供应商器件包装

    DO-214BA (GF1)

  • 介电材料

    Polypropylene (PP), Metallized

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Voltage Rating DC

    1000V (1kV)

  • Voltage Rating AC

    350V

  • Product Status

    活跃

  • 厂商

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Base Product Number

    EGF1

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C ~ 110°C

  • 系列

    MKP385

  • 包装

    Bulk

  • 尺寸/尺寸

    0.492 L x 0.157 W (12.50mm x 4.00mm)

  • 容差

    ±5%

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    --

  • 终端

    PC引脚

  • 应用

    DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching; High Pulse, DV/DT

  • 电容量

    5100pF

  • 引线间距

    0.394 (10.00mm)

  • 速度

    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    5 µA @ 100 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1 V @ 1 A

  • 工作温度 - 结点

    -65°C ~ 175°C

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    100 V

  • 平均整流电流(Io)

    1A

  • 电容@Vr, F

    15pF @ 4V, 1MHz

  • 反向恢复时间(trr)

    50 ns

  • 特征

    --

  • 座位高度(最大)

    0.394 (10.00mm)

  • 评级结果

    --

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EGF1B-1HE3_A/I拓展信息

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