Vishay GB200TS60NPBF

表面安装

NO

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

ECCN (US)

EAR99

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

600

Maximum Gate Emitter Voltage (V)

±20

Maximum Power Dissipation (mW)

781000

Maximum Continuous Collector Current (A)

209

Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)

0.2

Minimum Operating Temperature (°C)

-40

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Automotive

无

Standard Package Name

INT-A-PAK

Supplier Package

INT-A-PAK

Military

无

Mounting

Screw

Package Height

30

Package Length

94

Package Width

35

PCB changed

7

Manufacturer Part Number

VS-GB200TS60NPBF

Approvals

UL

Manufacturer

Vishay

RoHS

有

Package Description

ROHS COMPLIANT, INT-A-PAK-7

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

640 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

630 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.84

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

Dual

附加功能

UL 认证

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X5

资历状况

不合格

配置

Dual

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

电路型态

Half-Bridge

极性/通道类型

N-CHANNEL

信道型

N

最大耗散功率(Abs)

781 W

集电极电流-最大值(IC)

209 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

高度(毫米)

37 mm

RoHS状态

符合RoHS标准