您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 未分类 无类别的 GN0011R200FR3680
GN0011R200FR3680
GN0011R200FR3680

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Vishay GN0011R200FR3680

  • 收藏
  • 对比

型号

GN0011R200FR3680

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-GN0011R200FR3680

商品类别

无类别的

封装

TO-3PN-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

GN0011R200FR3680 datasheet pdf and Unclassified product details from Vishay stock available at utmel

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
GN0011R200FR3680
GN0011R200FR3680 Vishay

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

GN0011R200FR3680详情

技术参数

Vishay GN0011R200FR3680重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    TO-3PN-3

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    600 V

  • Typical Turn-On Delay Time

    62 ns

  • Pd - Power Dissipation

    208 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 30 V, + 30 V

  • Unit Weight

    0.162260 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    30

  • Mounting Styles

    通孔

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Part # Aliases

    FCA20N60_F109

  • Manufacturer

    onsemi

  • Brand

    onsemi / Fairchild

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    190 mOhms

  • RoHS

    Details

  • Typical Turn-Off Delay Time

    230 ns

  • Id - Continuous Drain Current

    20 A

  • 系列

    FCA20N60_F109

  • 包装

    Tube

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1 Channel

  • 上升时间

    140 ns

  • 产品类别

    MOSFET

  • 晶体管类型

    1 N-Channel

  • 产品类别

    MOSFET

  • 宽度

    5 mm

  • 高度

    20.1 mm

  • 长度

    16.2 mm

0个相似型号

GN0011R200FR3680拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS