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技术文档
型号
HL05006E2R700JE
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-HL05006E2R700JE
商品类别
无类别的
封装
TO-247-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
HL05006E2R700JE datasheet pdf and Unclassified product details from Vishay stock available at utmel
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HL05006E2R700JE详情
技术参数
Vishay HL05006E2R700JE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V
Pd - Power Dissipation
446 W
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Unit Weight
0.211644 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
30
Mounting Styles
通孔
Channel Mode
Enhancement
Part # Aliases
FCH085N80_F155
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi / Fairchild
Qg - Gate Charge
255 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
85 mOhms
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
46 A
系列
包装
Tube
子类别
MOSFETs
技术
Si
配置
Single
通道数量
1 Channel
产品类别
MOSFET
宽度
4.82 mm
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
HL05006E2R700JE拓展信息
公司资质
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