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Vishay HLT02002E1R500KE

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型号

HLT02002E1R500KE

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-HLT02002E1R500KE

商品类别

无类别的

封装

TO-3PN-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

HLT02002E1R500KE datasheet pdf and Unclassified product details from Vishay stock available at utmel

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HLT02002E1R500KE详情

技术参数

Vishay HLT02002E1R500KE重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    TO-3PN-3

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    500 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    2 V

  • Pd - Power Dissipation

    218 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 30 V, + 30 V

  • Unit Weight

    0.162260 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    450

  • Mounting Styles

    通孔

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Part # Aliases

    FQA13N50C_F109

  • Manufacturer

    onsemi

  • Brand

    onsemi / Fairchild

  • Qg - Gate Charge

    56 nC

  • Tradename

    QFET

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    480 mOhms

  • RoHS

    Details

  • Id - Continuous Drain Current

    13.5 A

  • 系列

    FQA13N50C_F109

  • 包装

    Tube

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1 Channel

  • 产品类别

    MOSFET

  • 晶体管类型

    1 N-Channel

  • 产品类别

    MOSFET

  • 宽度

    5 mm

  • 高度

    20.1 mm

  • 长度

    16.2 mm

0个相似型号

HLT02002E1R500KE拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS