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技术文档
型号
IRF720STRLPBF
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-IRF720STRLPBF
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3
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IRF720STRLPBF详情
技术参数
Vishay IRF720STRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Vishay Intertechnologies
Number of Elements
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.04
Drain Current-Max (ID)
3.3 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
1.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
13 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
雪崩能量等级(Eas)
190 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
50 W
IRF720STRLPBF拓展信息
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公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
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