IRF9510STRRPBF
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Vishay IRF9510STRRPBF

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型号

IRF9510STRRPBF

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-IRF9510STRRPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IRF9510STRRPBF Vishay Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IRF9510STRRPBF详情

Vishay IRF9510STRRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    40

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRF9510STRRPBF

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Vishay Intertechnologies

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.03

  • Part Package Code

    D2PAK

  • Drain Current-Max (ID)

    4 A

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-263AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.2 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    16 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    200 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

IRF9510STRRPBF拓展信息

SUM60N10-17
SI2304DS-T1
SI2308DS
SI2308DS

Vishay

SUD45P03-10
SI1029X-T1
SI1029X-T1

Vishay

TN0201T
TN0201T

Vishay

SI7423DN
SI7423DN

Vishay

SI2323DS
SI2323DS

Vishay

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