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技术文档
型号
IRFD112
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-IRFD112
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
起订量
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IRFD112详情
技术参数
Vishay IRFD112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
有
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.4
Drain Current-Max (ID)
0.8 A
系列
VM800
JESD-609代码
e0
无铅代码
类型
Evaluation board with display
端子表面处理
锡铅
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
注意
Resistive Touch Panel,PWM Audio Output + Speaker
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.8 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRFD112拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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