Vishay IRFPS30N60K

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IRFPS30N60K

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Siliconix

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX

Risk Rank

5.17

Drain Current-Max (ID)

30 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

锡铅

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.19 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

520 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR