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技术文档
型号
IRFR014TRRPBF
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-IRFR014TRRPBF
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
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IRFR014TRRPBF详情
技术参数
Vishay IRFR014TRRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Vishay Intertechnologies
Number of Elements
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.11
Part Package Code
TO-252AA
Drain Current-Max (ID)
7.7 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
31 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
47 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
25 W
IRFR014TRRPBF拓展信息
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公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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