Vishay IRFU430A

表面安装

NO

质量

329.988449 mg

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IRFU430A

Manufacturer

Vishay

RoHS

Non-Compliant

Turn Off Delay Time

17 ns

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

5 A

Part Package Code

TO-251AA

Risk Rank

5.12

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Part Life Cycle Code

Transferred

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

110 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.7 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

27 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5 A

JEDEC-95代码

TO-251AA

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5 A

漏极-源极导通最大电阻

1.7 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

110 W

漏源电阻

1.7 Ω

宽度

2.39 mm

高度

6.22 mm

长度

6.73 mm