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技术文档
型号
M55342M03B20K0R
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-M55342M03B20K0R
商品类别
无类别的
封装
96-VFBGA
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RES,Thick Film,20KOhms,5 /-% Tol,-300,300ppm-TC,1005-Case
起订量
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M55342M03B20K0R详情
技术参数
Vishay M55342M03B20K0R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
表面贴装
包装/外壳
表面安装
YES
端子形状
WRAPAROUND
越来越多的功能
SURFACE MOUNT
供应商器件包装
96-FBGA (13x8)
终端数量
2
Memory Types
Volatile
Package Description
SMT, 1005
Package Style
SMT
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
矩形包装
Manufacturer
Vishay Dale
Package Height
0.61 mm
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Length
2.667 mm
Risk Rank
5.78
Package Width
1.27 mm
操作温度
0°C ~ 95°C (TC)
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
容差
5%
JESD-609代码
e0
无铅代码
零件状态
Obsolete
ECCN 代码
EAR99
温度系数
300 ppm/°C
电阻
20000 Ω
端子表面处理
Tin/Lead (Sn60Pb40) - with Nickel (Ni) barrier
HTS代码
8533.21.00.30
子类别
固定电阻器
技术
SDRAM - DDR3
电压 - 供电
1.425 V ~ 1.575 V
结构
Chip
电阻器类型
固定电阻
参考标准
MIL-PRF-55342
额定功率损耗(P)
0.2 W
工作电压
40 V
尺寸代码
1005
额定温度
70 °C
内存大小
2Gb (128M x 16)
时钟频率
800MHz
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
达到SVHC
unknown
M55342M03B20K0R拓展信息
公司资质
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