M55342M03B20K0R
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Vishay M55342M03B20K0R

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型号

M55342M03B20K0R

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-M55342M03B20K0R

商品类别

无类别的

封装

96-VFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RES,Thick Film,20KOhms,5 /-% Tol,-300,300ppm-TC,1005-Case

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M55342M03B20K0R详情

Vishay M55342M03B20K0R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    96-VFBGA

  • 表面安装

    YES

  • 端子形状

    WRAPAROUND

  • 越来越多的功能

    SURFACE MOUNT

  • 供应商器件包装

    96-FBGA (13x8)

  • 终端数量

    2

  • Memory Types

    Volatile

  • Package Description

    SMT, 1005

  • Package Style

    SMT

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

    无

  • Manufacturer Part Number

    M55342M03B20K0R

  • Package Shape

    矩形包装

  • Manufacturer

    Vishay Dale

  • Package Height

    0.61 mm

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Length

    2.667 mm

  • Risk Rank

    5.78

  • Package Width

    1.27 mm

  • 操作温度

    0°C ~ 95°C (TC)

  • 系列

    --

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 容差

    5%

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    无

  • 零件状态

    Obsolete

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    300 ppm/°C

  • 电阻

    20000 Ω

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn60Pb40) - with Nickel (Ni) barrier

  • HTS代码

    8533.21.00.30

  • 子类别

    固定电阻器

  • 技术

    SDRAM - DDR3

  • 电压 - 供电

    1.425 V ~ 1.575 V

  • 结构

    Chip

  • 电阻器类型

    固定电阻

  • 参考标准

    MIL-PRF-55342

  • 额定功率损耗(P)

    0.2 W

  • 工作电压

    40 V

  • 尺寸代码

    1005

  • 额定温度

    70 °C

  • 内存大小

    2Gb (128M x 16)

  • 时钟频率

    800MHz

  • 访问时间

    20ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 达到SVHC

    unknown

0个相似型号

M55342M03B20K0R拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS