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技术文档
型号
ND2012L-TR1
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-ND2012L-TR1
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA
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ND2012L-TR1详情
技术参数
Vishay ND2012L-TR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TO-92, 3PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.34
Part Package Code
TO-92
Drain Current-Max (ID)
0.16 A
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
COMMERCIAL
输出类型
TTL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
DEPLETION MODE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-226AA
漏极-源极导通最大电阻
12 Ω
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
ND2012L-TR1拓展信息
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公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
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