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技术文档
型号
P0603Y5110BB
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-P0603Y5110BB
商品类别
无类别的
封装
TO-247-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
P0603Y5110BB datasheet pdf and Unclassified product details from Vishay stock available at utmel
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P0603Y5110BB详情
技术参数
Vishay P0603Y5110BB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V
Pd - Power Dissipation
500 W
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Unit Weight
0.211644 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
30
Mounting Styles
通孔
Channel Mode
Enhancement
Part # Aliases
FCH060N80_F155
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi / Fairchild
Qg - Gate Charge
350 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
60 mOhms
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
58 A
系列
包装
Tube
子类别
MOSFETs
技术
Si
配置
Single
通道数量
1 Channel
产品类别
MOSFET
宽度
4.82 mm
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
P0603Y5110BB拓展信息
公司资质
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