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技术文档
型号
PHT0805E4991BN
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-PHT0805E4991BN
商品类别
无类别的
封装
TO-220-3
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
PHT0805E4991BN datasheet pdf and Unclassified product details from Vishay stock available at utmel
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PHT0805E4991BN详情
技术参数
Vishay PHT0805E4991BN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V
Pd - Power Dissipation
246 W
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Unit Weight
0.068784 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
50
Mounting Styles
通孔
Channel Mode
Enhancement
Part # Aliases
FDP027N08B_F102
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi / Fairchild
Qg - Gate Charge
178 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
2.21 mOhms
RoHS
Details
Id - Continuous Drain Current
223 A
系列
FDP027N08B
包装
Tube
子类别
MOSFETs
技术
Si
配置
Single
通道数量
1 Channel
产品类别
MOSFET
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
PHT0805E4991BN拓展信息
公司资质
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