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Vishay RCWP120627R0GMEB

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型号

RCWP120627R0GMEB

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-RCWP120627R0GMEB

商品类别

无类别的

封装

211-07-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Res Thick Film 1206 27Ohm 2% 1/4W ±300ppm/°C Molded T/R

起订量

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RCWP120627R0GMEB
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RCWP120627R0GMEB详情

技术参数

Vishay RCWP120627R0GMEB重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    211-07-3

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    65 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    5 V

  • Pd - Power Dissipation

    220 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 200 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    40 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 65 C

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Manufacturer

    Advanced Semiconductor, Inc.

  • Brand

    Advanced Semiconductor, Inc.

  • RoHS

    Details

  • Id - Continuous Drain Current

    9 A

  • 包装

    Tray

  • 类型

    射频功率MOSFET

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 工作频率

    200 MHz

  • 配置

    Single

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

0个相似型号

RCWP120627R0GMEB拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS