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Vishay RWR89S9R09FSR50

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型号

RWR89S9R09FSR50

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-RWR89S9R09FSR50

商品类别

无类别的

封装

Power-56-8

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RWR89S9R09FSR50 datasheet pdf and Unclassified product details from Vishay stock available at utmel

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RWR89S9R09FSR50详情

技术参数

Vishay RWR89S9R09FSR50重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    Power-56-8

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    30 V

  • Moisture Sensitive

    有

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    1 V

  • Pd - Power Dissipation

    2.5 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 16 V, + 16 V

  • Unit Weight

    0.002402 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    3000

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Manufacturer

    onsemi

  • Brand

    onsemi / Fairchild

  • Qg - Gate Charge

    88 nC

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    1.8 mOhms

  • RoHS

    Details

  • Id - Continuous Drain Current

    28 A

  • 系列

    FDMS2D4N03S

  • 包装

    切割胶带

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 配置

    Single

  • 通道数量

    1 Channel

  • 产品类别

    MOSFET

  • 产品类别

    MOSFET

  • 宽度

    5 mm

  • 高度

    1.1 mm

  • 长度

    6 mm

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RWR89S9R09FSR50拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS