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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥3.495606
10
¥3.297745
100
¥3.111078
500
¥2.934982
1000
¥2.768848
型号
SI1012X-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI1012X-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563; ESD
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SI1012X-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI1012X-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20V
Drain current
0.35A
Case1
SOT563
Case
SC89
Gate-source voltage
±6V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Version
ESD
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
80mW
Gate charge
0.75nC
On-state resistance
0.7Ω
SI1012X-T1-GE3拓展信息
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SI1012X-T1-GE3零件
Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:346
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
库存:3106
型号:SI4559EY
库存:20
型号:SI7810DN
库存:21
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