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技术文档
型号
SI1317DL-T1-BE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI1317DL-T1-BE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A
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SI1317DL-T1-BE3详情
技术参数
VISHAY SI1317DL-T1-BE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Pulsed drain current
-6A
Drain current
-1.4A
Drain-source voltage
-20V
Polarisation
unipolar
Type of transistor
P-MOSFET
Mounting
SMD
Gate-source voltage
±8V
Case
SC70
Case1
SOT323
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
0.5W
Gate charge
6.5nC
On-state resistance
0.27Ω
SI1317DL-T1-BE3拓展信息
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公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
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