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技术文档
型号
SI1467DH-T1-E3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI1467DH-T1-E3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -8A
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SI1467DH-T1-E3详情
技术参数
VISHAY SI1467DH-T1-E3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Gross weight
0.1 g
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel,
Mounting
SMD
Gate-source voltage
±8V
Case
SC70-6,
Pulsed drain current
-8A
Drain current
-2.7A
Drain-source voltage
-20V
Polarisation
unipolar
Type of transistor
P-MOSFET
Power dissipation
2.78W
Gate charge
13.5nC
On-state resistance
0.15Ω
SI1467DH-T1-E3拓展信息
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Vishay
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
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