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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥9.987446
10
¥9.422123
100
¥8.888793
500
¥8.385651
1000
¥7.910995
型号
SI1499DH-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI1499DH-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
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ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -1.6A; Idm: -6.5A
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SI1499DH-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI1499DH-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-8V
Drain current
-1.6A
Pulsed drain current
-6.5A
Case1
SOT363
Case
SC70-6
Gate-source voltage
±5V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
2.78W
Gate charge
16nC
On-state resistance
424mΩ
SI1499DH-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
库存:3106
型号:SI4559EY
库存:20
型号:SI7810DN
库存:21
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