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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥2.019359
10
¥1.905059
100
¥1.797225
500
¥1.695496
1000
¥1.599521
型号
SI1900DL-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI1900DL-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
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ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 630mA; Idm: 1A
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SI1900DL-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI1900DL-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
0.63A
Pulsed drain current
1A
Case1
SOT363
Case
SC70-6
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
0.3W
Gate charge
1.4nC
On-state resistance
0.7Ω
SI1900DL-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:245
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
库存:3106
型号:SI4559EY
库存:20
型号:SI7810DN
库存:21
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