SI2329DS-T1-GE3
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VISHAY SI2329DS-T1-GE3

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型号

SI2329DS-T1-GE3

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SI2329DS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23

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SI2329DS-T1-GE3 VISHAY Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23

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SI2329DS-T1-GE3详情

VISHAY SI2329DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Type of transistor

    P-MOSFET

  • Polarisation

    unipolar

  • Drain-source voltage

    -8V

  • Drain current

    -6A

  • Case

    SOT23

  • Gate-source voltage

    ±5V

  • Mounting

    SMD

  • Kind of package1

    tape

  • Kind of package

    reel

  • Kind of channel

    enhanced

  • Gross weight

    0.022g

  • Certificates

    RoHS compliant

  • Power dissipation

    1.6W

  • Gate charge

    11.8nC

  • On-state resistance

    30mΩ

0个相似型号

SI2329DS-T1-GE3拓展信息

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