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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥2.521915
10
¥2.379165
100
¥2.244495
500
¥2.117448
1000
¥1.997593
型号
SI2329DS-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI2329DS-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
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SI2329DS-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI2329DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-8V
Drain current
-6A
Case
SOT23
Gate-source voltage
±5V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.022g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
1.6W
Gate charge
11.8nC
On-state resistance
30mΩ
SI2329DS-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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