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Vishay SI2335DS-T1

Name: SI2335DS-T1
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI2335DS-T1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI2335DS-T1

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2335DS-T1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN

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SI2335DS-T1 Vishay Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN

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SI2335DS-T1详情

技术参数

Vishay SI2335DS-T1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

3
质量

1.437803 g
Number of Elements

1
RoHS

Non-Compliant
Turn Off Delay Time

50 ns
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

750 mW
通道数量

1
元素配置

Single
功率耗散

750 mW
接通延迟时间

13 ns
上升时间

15 ns
漏源电压 (Vdss)

-12 V
连续放电电流(ID)

4 A
栅极至源极电压(Vgs)

8 V
漏源电阻

51 mΩ

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SI2335DS-T1拓展信息

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