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技术文档
型号
SI2335DS-T1
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-SI2335DS-T1
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN
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SI2335DS-T1详情
技术参数
Vishay SI2335DS-T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
1.437803 g
Number of Elements
1
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
50 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
750 mW
通道数量
元素配置
Single
功率耗散
接通延迟时间
13 ns
上升时间
15 ns
漏源电压 (Vdss)
-12 V
连续放电电流(ID)
4 A
栅极至源极电压(Vgs)
8 V
漏源电阻
51 mΩ
SI2335DS-T1拓展信息
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公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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