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技术文档
型号
SI2387DS-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI2387DS-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -3A; Idm: -10A
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SI2387DS-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI2387DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-80V
Drain current
-3A
Pulsed drain current
-10A
Case
SOT23
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
2.5W
Gate charge
10.2nC
On-state resistance
242mΩ
SI2387DS-T1-GE3拓展信息
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公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
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