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技术文档
型号
SI2392DS-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI2392DS-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A
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SI2392DS-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI2392DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
3.1A
Pulsed drain current
8A
Case
SOT23
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
2.5W
Gate charge
10.4nC
On-state resistance
189mΩ
SI2392DS-T1-GE3拓展信息
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公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
库存：0
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