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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥4.346204
10
¥4.100194
100
¥3.868104
500
¥3.649154
1000
¥3.442603
型号
SI3407DV-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI3407DV-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.7W; TSOP6
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SI3407DV-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI3407DV-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-8A
Case
TSOP6
Gate-source voltage
±12V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.042g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
2.7W
Gate charge
21nC
On-state resistance
24mΩ
SI3407DV-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
型号:IRFR9014CPBF
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