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技术文档
型号
SI3410DV-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI3410DV-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
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ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A; 4.1W
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SI3410DV-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI3410DV-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
8A
Pulsed drain current
30A
Case
TSOP6
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package
reel,
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1 g
Power dissipation
4.1W
Gate charge
33nC
On-state resistance
23mΩ
SI3410DV-T1-GE3拓展信息
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公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
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