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技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥2.687814
10
¥2.535673
100
¥2.392148
500
¥2.25674
1000
¥2.129002
型号
SI3430DV-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI3430DV-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
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ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W
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SI3430DV-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI3430DV-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
2.4A
Pulsed drain current
8A
Case
TSOP6
Gate-source voltage
±20V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
2W
Gate charge
8.2nC
On-state resistance
0.185Ω
SI3430DV-T1-GE3拓展信息
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SI3430DV-T1-GE3零件
Vishay
公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
库存:3106
型号:SI4559EY
库存:20
型号:SI7810DN
库存:21
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