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Vishay SI3435DV-T1-E3

Name: SI3435DV-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI3435DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI3435DV-T1-E3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI3435DV-T1-E3

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TSOP-6

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TSOP-6

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SI3435DV-T1-E3 Vishay Small Signal Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TSOP-6

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SI3435DV-T1-E3详情

技术参数

Vishay SI3435DV-T1-E3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TSOP-6
Unit Weight

0.000705 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000
Mounting Styles

SMD/SMT
Part # Aliases

SI3435DV-T1
Manufacturer

Vishay
Brand

Vishay / Siliconix
Tradename

TrenchFET
RoHS

Details
Turn Off Delay Time

90 ns
系列

SI3
包装

Reel
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
子类别

MOSFETs
最大功率耗散

1.1 W
技术

Si
元素配置

Single
功率耗散

1.1 W
上升时间

45 ns
漏源电压 (Vdss)

-12 V
产品类别

MOSFET
连续放电电流(ID)

4.8 A
栅极至源极电压(Vgs)

8 V
漏源电阻

73 mΩ
产品类别

MOSFET
宽度

1.65 mm
高度

1.1 mm
长度

3.05 mm

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SI3435DV-T1-E3拓展信息

热销零件