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技术文档
型号
SI3443BDV-T1-E3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI3443BDV-T1-E3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; 1.3W; TSOP6
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SI3443BDV-T1-E3详情
技术参数
VISHAY SI3443BDV-T1-E3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Certificates
RoHS compliant
Gross weight
0.026g
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel
Kind of package1
tape
Mounting
SMD
Gate-source voltage
±12V
Case
TSOP6
Drain current
-3.8A
Drain-source voltage
-20V
Polarisation
unipolar
Type of transistor
P-MOSFET
Power dissipation
1.3W
Gate charge
6nC
On-state resistance
60mΩ
SI3443BDV-T1-E3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
库存：0
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