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技术文档
型号
SI3453DV-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI3453DV-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -3.4A; Idm: -6A
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SI3453DV-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI3453DV-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
Gross weight
0.1 g
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel,
Mounting
SMD
Gate-source voltage
±20V
Case
TSOP6
Pulsed drain current
-6A
Drain current
-3.4A
Drain-source voltage
-30V
Polarisation
unipolar
Type of transistor
P-MOSFET
Power dissipation
3W
Gate charge
6.8nC
On-state resistance
276mΩ
SI3453DV-T1-GE3拓展信息
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Vishay
公司资质
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型号：IRF9510STRRPBF
封装：--
品牌：Vishay
库存：0
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