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技术文档
型号
SI3454DV-T1-E3
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-SI3454DV-T1-E3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 30V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6
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SI3454DV-T1-E3详情
技术参数
Vishay SI3454DV-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
质量
19.986414 mg
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
20 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
2 W
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
接通延迟时间
10 ns
上升时间
15 ns
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
4.2 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
漏源电阻
65 mΩ
宽度
1.65 mm
高度
1 mm
长度
3.05 mm
SI3454DV-T1-E3拓展信息
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公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
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