注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥24.27904
10
¥22.904754
100
¥21.608258
500
¥20.385152
1000
¥19.231275
型号
SI3499DV-T1-GE3
品牌
VISHAY
utmel 编号
2668-SI3499DV-T1-GE3
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -7A; Idm: -20A; 2W
起订量
--最小包装量--
¥
总价: ¥
单价: $
请发送询价,我们将立即回复。
SI3499DV-T1-GE3详情
技术参数
VISHAY SI3499DV-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-8V
Drain current
-7A
Pulsed drain current
-20A
Case
TSOP6
Gate-source voltage
±5V
Mounting
SMD
Kind of package1
tape
Kind of package
reel
Kind of channel
enhanced
Gross weight
0.1g
Certificates
RoHS compliant
Power dissipation
2W
Gate charge
42nC
On-state resistance
48mΩ
SI3499DV-T1-GE3拓展信息
热销零件
相关分类
热门搜索
SI3499DV-T1-GE3零件
Vishay
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IRF9510STRRPBF
封装:--
品牌:Vishay
库存:0
型号:SI4539ADY.
库存:245
型号:IRFR9014CPBF
型号:SI5402DC-T1
库存:3106
型号:SI4559EY
库存:20
型号:SI7810DN
库存:21
购物车 (0件产品)