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Vishay SI3585DV-T1

Name: SI3585DV-T1
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI3585DV-T1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI3585DV-T1

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI3585DV-T1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6

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SI3585DV-T1 Vishay Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6

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SI3585DV-T1详情

技术参数

Vishay SI3585DV-T1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
质量

19.986414 mg
RoHS

Non-Compliant
Turn Off Delay Time

19 ns
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

830 mW
通道数量

2
功率耗散

830 mW
接通延迟时间

11 ns
上升时间

34 ns
漏源电压 (Vdss)

20 V
连续放电电流(ID)

2.4 A
栅极至源极电压(Vgs)

12 V
漏源击穿电压

20 V
漏源电阻

200 mΩ
宽度

1.65 mm
高度

1 mm
长度

3.05 mm

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SI3585DV-T1拓展信息

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