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技术文档
型号
SI3585DV-T1
品牌
Vishay
utmel 编号
2668-SI3585DV-T1
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6
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SI3585DV-T1详情
技术参数
Vishay SI3585DV-T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
质量
19.986414 mg
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
19 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
830 mW
通道数量
2
功率耗散
接通延迟时间
11 ns
上升时间
34 ns
漏源电压 (Vdss)
20 V
连续放电电流(ID)
2.4 A
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
漏源击穿电压
漏源电阻
200 mΩ
宽度
1.65 mm
高度
1 mm
长度
3.05 mm
SI3585DV-T1拓展信息
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公司资质
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型号:IRF9510STRRPBF
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品牌:Vishay
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