SI3851DV-T1-GE3详情
Vishay SI3851DV-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
TSOP-6
Continuous Drain Current Id
1.6
RoHS
Compliant
Unit Weight
0.000705 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Part # Aliases
SI3851DV-GE3
Manufacturer
Vishay
Brand
Vishay / Siliconix
Tradename
TrenchFET
系列
SI3
包装
Reel
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
MOSFETs
最大功率耗散
830 mW
技术
Si
功率耗散
830 mW
漏源电压 (Vdss)
-30 V
产品类别
MOSFET
连续放电电流(ID)
1.6 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
30 V
信道型
P
漏源电阻
200 mΩ
产品类别
MOSFET
宽度
1.65 mm
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
SI3851DV-T1-GE3拓展信息
Vishay
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